“氧化沟槽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1057725个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200910195864.2有效
发明人：袁宏韬;李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和刻蚀终止层；依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内表面形成衬氧化层；在浅沟槽内的衬氧化层及刻蚀终止层表面形成前层沟槽氧化物；在所述前层沟槽氧化物表面沉积第一顶层沟槽氧化物；在所述第一顶层沟槽氧化物表面进行过渡沉积沟槽氧化物，所述过渡沉积沟槽氧化物时的沉积速率大于第一顶层沟槽氧化物的沉积速率，并且小于第二顶层沟槽氧化物的沉积速率；在所述过渡沉积的沟槽氧化物表面沉积第二顶层沟槽氧化物；平坦化所填充的沟槽氧化物至显露出刻蚀终止层，并去除刻蚀终止层和垫氧化层。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]沟槽式快恢复二极管及其制备方法-CN201410790149.4有效
发明人：林茂;戚丽娜;张景超;钱锴;刘利峰;赵善麒;王晓宝 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P⁺型杂质层相连，沟槽外注入区具有依次相连的N型杂质电荷积累层、沟槽外P型杂质层和沟槽外P⁺杂质层，N型杂质电荷积累层不超出沟槽氧化层的底部；场氧化层有源区窗口外的终端区内具有终端P型杂质层，场氧化层的上部具有终端多晶硅场板层，金属阳极层与终端多晶硅场板层、沟槽氧化层、沟槽氧化层内的沟槽多晶硅以及沟槽外P⁺杂质层连接。
沟槽恢复二极管及其制备方法

[实用新型]一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片-CN201620603546.0有效
发明人：关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。其特征在于：在外延层（5）的表面设置有多个沟槽，沟槽的内表面形成氧化层，在沟槽内填充有多晶硅（1），多晶硅（1）的表面刻蚀到与沟槽上边等高的位置，在多晶硅（1）以及外延层（5）的上部形成肖特基界面（3）；所述的沟槽内表面的氧化层包括位于沟槽侧壁上部的沟槽侧部氧化层（4）和位于沟槽侧部下部以及沟槽底部的沟槽底部氧化层（2），其中沟槽底部氧化层（2）的厚度不等于沟槽侧部氧化层（4）的厚度。通过本厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片，同时兼顾了芯片的耐压能力以及正向压降，同时不会导致芯片整体体积增加。
一种氧化沟槽式肖特基芯片

[发明专利]一种沟槽DMOS管的制造方法及一种沟槽DMOS管-CN201210473682.9在审
发明人：崔金洪;张枫;李天贺 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽DMOS管的制造方法及一种沟槽DMOS管，所述方法包括：对一用于制造所述沟槽DMOS管的外延片进行处理，形成一与栅极对应的沟槽，并在所述沟槽底部形成第一栅极氧化层；在所述处延片的表面进行淀积处理，形成一抗氧化层；在所述抗氧化层的表面，去除所述沟槽外的所述抗氧化层和所述沟槽底部的所述抗氧化层，以保留所述沟槽内侧壁的所述抗氧化层；在所述沟槽内进行第二次氧化，在所述沟槽底部的第一栅极氧化表面形成第二栅极氧化层
一种沟槽 dmos 制造方法

[发明专利]一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法-CN201610394660.1在审
发明人：贺冠中 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法，包括位于衬底上的氧化层和位于所述氧化层上的绝缘层，在所述氧化层上设有氧化层沟槽，在所述绝缘层上设有与氧化层沟槽贯穿的绝缘层沟槽，氧化层沟槽的宽度大于绝缘层沟槽的宽度一种的掩膜结构的制作方法，包括在衬底上依次形成氧化层和绝缘层；在所述氧化层和所述绝缘层上刻蚀出贯穿且等宽的沟槽；继续刻蚀氧化层，以形成沟槽宽度大于绝缘层沟槽宽度的氧化层沟槽。利用本发明的掩膜结构可刻蚀出上下同宽的衬沟槽，降低漏电，提高良率，所述方法便于形成上窄下宽的两个沟槽。
一种膜结构制作方法

[发明专利]具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件-CN201210071875.1在审
发明人：朴赞毫;阿肖克·沙拉;瑞图·索迪 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件。在一个总体方面，披露一种装置，该装置可以包括位于外延层的第一沟槽中的第一沟槽氧化物，并且具有位于该第一沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物。该装置可以包括位于第一沟槽旁侧的第二沟槽。第一氧化物的沟槽底部氧化物部分可以具有大于在外延层内从第一沟槽到第二沟槽的距离的厚度。
具有沟槽底部氧化物 mosfet 器件

[发明专利]沟槽分离栅器件及其制造方法-CN201810259783.3有效
发明人：方冬;卞铮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽分离栅器件的制造方法，所述方法包括：刻蚀半导体衬底形成沟槽；于沟槽内淀积氧化物形成浮栅氧化层，使所述浮栅氧化层沿沟槽侧壁从上至下逐渐增厚，所述沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与所述沟槽底部的浮栅氧化层厚度相同；向所述沟槽内淀积多晶硅形成浮栅多晶层；在所述浮栅多晶层上表面生长绝缘介质形成隔离层；在所述沟槽内的所述隔离层上形成控制栅。本申请采用淀积技术在沟槽底部淀积浮栅氧化层，使得浮栅氧化层厚度从沟槽侧壁至沟槽底部逐渐变厚并且沟槽侧壁下部的浮栅氧化层厚度与沟槽底部浮栅氧化层厚度相同。逐渐变化的浮栅氧化层厚度可以缩小沟槽宽度，从而进一步减小元胞面积，降低器件的比导通电阻。
沟槽分离器件及其制造方法

[发明专利]一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS-CN201410328153.9在审
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种生产沟槽型VDMOS的方法及沟槽型VDMOS。所述方法，包括：在衬底上的外延层表面制作沟槽；在形成有沟槽的外延层表面上生长氧化层；在氧化层的表面生长氮化硅层；刻蚀去除沟槽外部氧化层之上的氮化硅层，以及刻蚀去除沟槽外部全部氧化层以及沟槽侧壁上的氧化层；在沟槽外围边缘、沟槽侧壁生长出直达沟槽底部氧化层的栅氧化层，且沟槽内的栅氧化层和氮化硅层之间存在缝隙；在所述缝隙以及沟槽外部的栅氧化层上生长多晶硅层，多晶硅层完全填满所述缝隙，并刻蚀去除沟槽外部的多晶硅层；形成P-体区；形成N+源区；在沟槽上方生长介质层以及形成接触孔；形成金属层。此种方法制作的沟槽型VDMOS，避免了栅漏电容，减小了对VDMOS动态特性的影响。
一种生产沟槽 vdmos 方法

[发明专利]具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件-CN201811146571.0在审
发明人：朴赞毫;阿肖克·沙拉;瑞图·索迪 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件。披露了一种装置，包括基板；位于基板上且具有第一导电类型的外延层；位于外延层中的第一沟槽；位于第一沟槽中的沟槽氧化物，具有位于沟槽氧化物的栅极部分下方的沟槽底部氧化物部分；位于第一沟槽旁侧的第二沟槽，沟槽底部氧化物部分具有大于在外延层中第一沟槽与第二沟槽之间的距离的厚度，外延层具有位于第一沟槽的底部表面和基板之间的部分；本体区，位于外延层上方且位于第一沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分和第二沟槽中的沟槽氧化物的栅极部分之间，本体区具有不同于第一导电性类型的第二导电性类型，沟槽底部氧化物部分的厚度大于第一沟槽与第二沟槽之间的台面的宽度的两倍且小于台面的宽度的三倍
底部氧化物外延层沟槽氧化物基板导电性类型第一导电类型底部表面

[发明专利]半导体结构的制备方法以及半导体结构-CN202211206919.7在审
发明人：李春山;邬瑞彬;贾金兰 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底；衬底上形成有外延层；于外延层内形成沟槽；于沟槽的底部及沟槽的底部拐角形成第一氧化层；采用氧化工艺于沟槽的侧壁、沟槽的底部及沟槽的底部拐角形成第二氧化层，位于沟槽侧壁的第二氧化层的厚度大于位于沟槽底部及沟槽底部拐角的第二氧化层的厚度；第一氧化层与第二氧化层共同构成屏蔽栅氧化层，位于沟槽侧壁的屏蔽栅氧化层与位于沟槽底部及位于沟槽底部拐角的屏蔽栅氧化层具有相同的厚度
半导体结构制备方法以及

[发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910201052.4有效
发明人：任红茹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了浅沟槽隔离区的制作方法，在晶圆衬底上依次形成氧化物和氮化物，刻蚀氮化物、氧化物和衬底形成浅沟槽，在浅沟槽内和氮化物表面淀积氧化物；之后，该方法还包括：去除氮化物表面的氧化物；测量氮化物高度SH1；去除浅沟槽内指定高度的氧化物；去除氮化物；测量浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外氧化物表面之间的高度差SH2；根据SH2去除浅沟槽内和浅沟槽外的氧化物。本发明方案能够缩小制作完成浅沟槽隔离区之后得到的浅沟槽内氧化物表面与浅沟槽外硅表面之间的高度差的变化范围。
沟槽隔离制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201711183482.9有效
发明人：杨鹏;张磊;周文斌;杜在凯 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及浅沟槽隔离结构的制备方法，该制备方法包括在硅衬底晶片表面依次沉积形成氧化硅层和氮化硅层；在表面光刻形成沟槽，沟槽贯穿氧化硅层和氮化硅层并伸入硅衬底中；在沟槽中沉积氧化硅，使氧化硅填满沟槽；使用化学机械研磨除去氮化硅层表面的多余的氧化硅，形成表面平整的沟槽氧化硅填充结构；浓硫酸双氧水混合溶液对沟槽氧化硅填充结构进行预清洗；对沟槽氧化硅填充结构进行正式清洗；除去氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽隔离结构的制备方法能够降低芯片的缺陷量，提高沟槽氧化硅填充结构产品的良率，具有很好的经济效益。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离制造方法-CN201210297229.7在审
发明人：唐兆云;闫江;杨涛;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：发明公开了一种浅沟槽隔离制造方法，包括：在衬底中形成浅沟槽；执行离子注入，在浅沟槽底部的衬底中形成掺杂区；执行热氧化，在浅沟槽底部形成垫氧化层；在浅沟槽中填充沉积氧化物，形成具有倒梯形截面的浅沟槽隔离。依照本发明的浅沟槽隔离制造方法，通过在浅沟槽底部注入掺杂离子以加速氧化，使得采用氧化物填充浅沟槽过程中在浅沟槽底部增生了氧化物，最终形成了具有倒梯形截面的浅沟槽隔离，从而提高了器件隔离性能。
沟槽隔离制造方法

[实用新型]一种双层多晶硅沟槽式芯片-CN201620603547.5有效
发明人：关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双层多晶硅沟槽式芯片，属于半导体芯片技术领域。其特征在于：包括衬底以及外延层，在外延层上方并排设置有若干沟槽式MOS单元，沟槽式MOS单元底部为U型的沟槽底部氧化层（5），在沟槽底部氧化层（5）内部填充有沟槽底部多晶硅（4），在沟槽底部多晶硅（4）的上方设置有沟槽中部氧化层（8），在沟槽中部氧化层（8）的上部填充有沟槽顶部多晶硅（3），沟槽顶部多晶硅（3）的外侧周圈为沟槽侧部氧化层（7）。通过本双层多晶硅沟槽式芯片，多晶硅与氧化层之间不会出现空洞，同时各个氧化层的厚度可以自行任意确定，因此制造出的芯片可靠性大大增加。
一种双层多晶沟槽芯片

[实用新型]浅沟槽隔离结构-CN201821501456.6有效
发明人：宛伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、第一沟槽、氮化硅层、第二沟槽、衬底氧化层、致密氧化物层及多孔二氧化硅层，其中，第一沟槽位于衬底内；氮化硅层位于第一沟槽的侧壁；第二沟槽位于衬底内，且与第一沟槽相连通；衬底氧化层位于第二沟槽的侧壁及底部；多孔二氧化硅层位于第二沟槽内且多孔二氧化硅层的上表面不高于第二沟槽的上表面；致密氧化物层位于多孔二氧化硅层的上表面，致密氧化物层填满多孔二氧化硅层上方的第二沟槽及第一沟槽，且致密氧化物层的上表面高于衬底的上表面。本实用新型的浅沟槽隔离结构，不仅能够起到良好的隔离效果，且介电常数极大降低，能有效减小寄生电流，降低寄生电容，提升器件性能。
多孔二氧化硅层上表面致密氧化物层衬底浅沟槽隔离结构本实用新型衬底氧化层氮化硅层侧壁隔离效果寄生电流寄生电容介电常数提升器件减小填满

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条